碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來政策東風(fēng) 中國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

來源：環(huán)球時(shí)報(bào) 時(shí)間：2020-09-07 15:21:44

今天政策層面有一個(gè)大消息，特大消息，那就是我國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將寫入十四五規(guī)劃，利好刺激下半導(dǎo)體、MINILED等科技股全天持續(xù)大漲，乾照光電、長方集團(tuán)、曉程科技、聚燦光電等多股均漲20%;消費(fèi)概念全天回調(diào)，白酒股集體下挫，金徽酒一度逼近跌停，食品股龍頭海天味業(yè)大跌逾7%，煌上煌跌約8%;機(jī)場航運(yùn)板塊午后拉升，吉祥航空漲7%;油氣采掘概念部分走高，恒泰艾普大漲20%。

美國不斷利用其在全球芯片產(chǎn)業(yè)的優(yōu)勢地位對中國進(jìn)行封堵，而以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，成本低廉，可廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體行業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主就變得順理成章。

消息稱，中國正在規(guī)劃制定一套全面的新政策，以發(fā)展本國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，應(yīng)對美國政府的限制。

報(bào)道援引不具名的知情人士消息稱，北京正準(zhǔn)備在到 2025 年的 5 年之內(nèi)，對“第三代半導(dǎo)體”提供廣泛支持。相對于傳統(tǒng)的硅材料，第三代半導(dǎo)體以氮化鎵、碳化硅、硒化鋅等寬帶半導(dǎo)體原料為主，更適合制造耐高溫、耐高壓、耐大電流的高頻大功率器件。

報(bào)報(bào)道，我國計(jì)劃把大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計(jì)劃在2021- 2025 年期間，舉全國之力，在教育、科研、開發(fā)、融資、應(yīng)用等等各個(gè)方面，大力支持發(fā)展第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，以期實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)獨(dú)立自主，不再受制于人。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況

1.全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立格局，其中美國一家獨(dú)大。隨著中美貿(mào)易戰(zhàn)的不斷升級，半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域成為了中美必爭之地，伴隨著華為再次被美制裁，高端裝備等領(lǐng)域的國產(chǎn)化勢在必行。此外，SiC材料和器件在軍工國防領(lǐng)域的重要作用，也越來越突出。SiC外延設(shè)備在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈國產(chǎn)化進(jìn)程中，意義尤為重大。

2.器件發(fā)展，材料先行，IDM模式將繼續(xù)成為行業(yè)主流。SiC將會取代Si作為大部分功率器件的材料，但不會完全替代，因?yàn)閿?shù)字芯片并不適合采用SiC對Si進(jìn)行替代，因此SiC預(yù)計(jì)占整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)10%左右。SiC主要應(yīng)用在功率半導(dǎo)體上，因此IDM模式能夠確保產(chǎn)品良率、控制成本。

3.國內(nèi)外差距沒有一、二代半導(dǎo)體明顯。先發(fā)優(yōu)勢是半導(dǎo)體行業(yè)的特點(diǎn)，Cree高市占率也印證了先發(fā)優(yōu)勢的重要性。相較于Si，國產(chǎn)廠商對SiC研究起步時(shí)間與國外廠商相差不多，因此國產(chǎn)廠商有希望追上國外廠商，完成國產(chǎn)替代。

企業(yè)加速跟進(jìn)

比如第三代半導(dǎo)體材料中的碳化硅，擁有禁帶寬度大、器件極限工作溫度高、臨界擊穿電場強(qiáng)度大、熱導(dǎo)率等顯著的性能優(yōu)勢，在電動(dòng)汽車、電源、軍工、航天等領(lǐng)域具有廣闊的市場前景。

根據(jù)公開的消息我們可以看到，乾照光電作為深圳第三代半導(dǎo)體研究院共建單位之一，致力于MicroLED等半導(dǎo)體前沿技術(shù)的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。三安光電在長沙設(shè)第三代半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，正在建設(shè)階段。露笑科技投資100億元建設(shè)第三代功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園。

比如，揚(yáng)州揚(yáng)杰電子科技股份有限公司成立于2006年8月2日。2014年1月，公司在深交所創(chuàng)業(yè)板掛牌上市。公司集研發(fā)、生產(chǎn)、銷售于一體，專業(yè)致力于功率半導(dǎo)體芯片及器件制造、集成電路封裝測試等領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

公司主營產(chǎn)品為各類電力電子器件芯片、功率二極管、整流橋、大功率模塊、DFN/QFN產(chǎn)品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、安防、工控、汽車電子、新能源等諸多領(lǐng)域。作者：彭博社

關(guān)鍵詞：碳化硅半導(dǎo)體芯片

碳化硅等第三代半導(dǎo)體迎來政策東風(fēng) 中國擬全面支持半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

熱點(diǎn)

文章排行

娛樂圖賞